优异的高效分析性能

微型采样方法(已在日本和美国取得专利)已在半导体器件分析领域成为一款工具，它正迅速向更小制样方向发展。仅用一小时左右即可获得一个微小样品，以便于STEM分析，其定位精度可达到0.1 µm以下。

特点

聚焦离子束(FIB)微采样装置和聚焦离子束(FIB)微采样方法

聚焦离子束(FIB)微柱状制样实例

一个微柱状样品，包含一个直接从半导体器件上准确地切割下来的分析点。改变入射聚焦离子束(FIB)的方向，把微样品切割或加工成任意形状。

系统配置实例

聚焦离子束-扫描透射电子显微镜系统

新开发的半导体装置评估系统由FB2200聚焦离子束(FIB)系统和HD-2700 200 kV(STEM)扫描透射电子显微镜构成。从对材料缺陷(组织)的搜索到亚纳米薄膜高精度结构分析，只要几小时即可完成。

聚焦离子束-透射电子显微镜(扫描透射电子显微镜)(FIB-TEM(STEM))的样品杆可互换共用

观察实例

DRAM 观察实例

针尖顶端的微柱状样品SEM像

微柱状样品的明场STEM像