牛津ICP等离子沉积机PlasmaPro 80 ICPCVD

PlasmaPro 80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是科学研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。

。直开式设计允许快速装卸晶圆
。出色的刻蚀控制和速率测定
。出色的晶圆温度均匀性
。晶圆最大可达200mm
。购置成本低
。符合半导体行业 S2 / S8标准

应用:

· III-V族刻蚀工艺

· 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺

· 类金刚石

· 类金刚石（DLC）沉积

· 二氧化硅和石英刻蚀

· 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆

· 高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途

· 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

系统特点:

· 小型系统——易于安置

· 优化了的电极冷却——衬底温度控制

· 高导通的径向（轴对称）抽气结构—— 确保提升了工艺均匀性和速率

·  增加<500毫秒的数据记录功能——可追溯腔室和工艺条件的历史记录

·  近距离耦合涡轮泵——提供优越的泵送速度加快气体的流动速度

·  关键部件容易触及——系统维护变得直接简单

· X20控制系统——大幅提高了数据信息恢复功能， 同时可以实现更快更可重复的匹配

·  通过前端软件进行设备故障诊断——故障诊断速度快

· 用干涉法进行激光终点监测——在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界

· 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测—— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测