等离子体修饰系统，利用卓聚自创的三温区管式炉，通过氧气辅助化学气相沉积技术，在蓝宝石衬底上外延生长了大尺寸、高质量的单层二硫化钼薄膜。在生长过程中引入氧气，不仅能够有效的阻止三氧化钼源中毒，降低形核密度，而且还能减小硫空位密度，从而实现了大尺寸单晶单层二硫化钼的生长。

等离子体修饰系统，利用卓聚自创的三温区管式炉，通过氧气辅助化学气相沉积技术，在蓝宝石衬底上外延生长了大尺寸、高质量的单层二硫化钼薄膜。在生长过程中引入氧气，不仅能够有效的阻止三氧化钼源中毒，降低形核密度，而且还能减小硫空位密度，从而实现了大尺寸单晶单层二硫化钼的生长。

利用等离子体修饰系统，在自限生长的前提下，目前已实现了两英寸晶圆级高质量单层二硫化钼的外延生长（100%覆盖度，成膜均匀），并通过改进转移设备，实现了晶圆级薄膜的零污染且衬底无损转移。单层二硫化钼薄膜均匀覆盖在整个蓝宝石衬底上，而且没有缝隙，没有重叠层。 薄膜由晶粒尺寸为 1 微米，相对取向为 60 º的晶粒拼接而成。成型薄膜只包含 60 º晶界。

等离子体修饰系统产品优势

1、有效避免固态源中毒；

2、成膜均匀性好；

3、成膜面积大；

4、快速、生长速度可控。