此系统可用于小批量生产,支持硅系列薄膜梯度覆盖,间隙填补;适用于半导体,太阳能电池工厂研发/实验室及高校研究所/实验室,还包括钝化,绝缘,电介体绝缘沉积等。
主要沉积对象:
◈ a-Si, SiO2, Si3N4 沉积
◈ 钝化, 绝缘
◈ 太阳能电池
◈ 等离子体源 : PE 型
◈ 样品尺寸 : 6寸
◈ 过程气体 : SiH4, H2, O2, N2
◈ 薄膜均匀性: <5% for WIW, WTW and RTR
◈ 基底温度: Maximum 250℃
◈ 加热均匀性 : ± 3℃
◈ 总操作压力 : 30 mTorr to 1 Torr
◈ 极限压力 : 1 × 10-3 Torr (旋转泵)
◈ PLC控制
-气动阀控制器
- 系统连锁,安全警报
-根据客户需要可提供更重CVD,如RTCVD(退火+CVD,Thermal CVD(热化学气相沉积系统),Cluster Type MOCVD,ICP + CVD + Sputter
-根据客户需要,可订制样品尺寸,过程气体可增加,极限压力可调