GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法-方法2直流两探针法；

SEMI MF 397-1106<<硅棒电阻率测定两探针法>>

1.电阻率：10^-7～2×10^7Ω-cm
2.电 阻：10^-7～2×10^7Ω

3.电导率：5×10^-7～10^7s/cm

4.分辨率： 0.1μΩ 测量误差±（0.05%读数±5字）

5.测量电压量程： 2mV   20mV  200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）

6.分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV

7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，
量程：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，1000mA, 误差：±0.2%读数±2字

8.显示方式：液晶显示：电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压等.

9.温度要求：23℃±1℃

10.电源：220±10% 50HZ/60HZ