硅漂移探测器工作原理

为了探测穿透能力较强的γ射线，要求探测器有更大的灵敏区。这种效果通常是使锂漂移进入p型半导体材料,进行补偿而获得。由于锗比硅对γ射线有更高的探测效率，故一般采用锗（锂）漂移探测器。这种探测器的灵敏体积可大于200厘米3。但是,由于其死层较厚，故在探测较低能量的x射线时,往往采用硅（锂）漂移探测器。锂漂移型探测器的另一个特点，是当它被用来探测x及γ射线时必须保持在低温(77k)和真空中工作。

Ultim Max TLE

我们TEM的旗舰款SDD能谱探测器，经过设计优化，提高了小束斑下的计数率，可表征原子尺度的元素信息。

这一性能是通过优化的晶体形状，100mm²大面积晶体，无窗结构，优化的机械设计和Extreme级电子元器件来实现的。

• 0.5 - 1.1srad的立体角

• 对低能量x射线的灵敏度可提高8倍

• 可在400,000cps的计数率下进行定量分析

• 在原位实验中，在高至1000°C的温度下采集谱图

Ultim Max TEM

用于纳米尺度分析和元素面分布的SDD能谱探测器。

在任何情况下，使用新型的中端80mm²传感器都能更接近样品，提供更多的X射线计数。结合了无窗设计和低噪音电子元器件 , 为 200kV下EDS分析提供高质量数据。

• 0.2 - 0.6 srad的立体角

• 对低能量x射线的灵敏度可提高8倍

• 可在400,000cps的计数率下进行定量分析

• 在原位实验中，在高至1000°C的温度下采集谱图

Xplore TEM

专门为120kV和200kV TEM的常规应用而设计的SDD能谱探测器。

使用新的 80 mm² 传感器，聚合物薄窗口和低噪音电子元器件 , 提供快速和准确的元素表征。

• 0.1 - 0.4 srad的立体

• 角

• 从Be到Cf的元素检测

• 可在200,000cps的计数率下进行定量分析

• SATW窗口为广泛的应用提供了更大的便利性