伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术获取高反射吸收Ta2O5薄膜

为了获取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射沉积技术镀制 Ta2O5 薄膜进行研究.

 

其系统工作示意图如下：

 

 

该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台等部分组成.

 

其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗.

 

用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 其参数如下:

 

伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：

射频离子源型号	RFICP 380
Discharge 阳极	射频 RFICP
离子束流	>1500 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	30 cm Φ
离子束	聚焦
流量	15-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	39 cm
直径	59 cm
中和器	LFN 2000

 

推荐理由：

聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

 

用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000

 

KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:

离子源型号	霍尔离子源 eH3000eH3000LOeH3000MO
Cathode/Neutralizer	HC
电压	50-250V50-300V50-250V
电流	20A10A15A
散射角度	>45
可充其他	Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
气体流量	5-100sccm
高度	6.0“
直径	9.7“
水冷	可选

 

其溅射室需要沉积前本底真空抽到 1×10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组  Hicube 80 Pro, 其技术参数如下：

进气法兰	氮气抽速 N2,l/s	极限真空 hpa	前级泵 型号	前级泵抽速 m³/h	前级真空安全阀
DN 40 ISO-KF	35	< 1X10-7	Pascal 2021	18	AVC 025 MA

 

运行结果：

伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术可以制备不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O5 薄膜.

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

 

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领域：机械设备

标签：离子源