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KORE SURFACESEER I: TOF-SIMS
SurfaceSeer-I是一个高灵敏度的TOF-SIMS，用于绝缘和导电表面的成像和化学绘图。SurfaceSeer-I是研究表面化学性质的理想之选，同样适用于研发以及工业质量控制应用。
SurfaceSeer-I使用与SurfaceSeer-S相同的TOF-MS技术，不同的是配有高亮度、高空间分辨率的25 kV液态金属离子枪（LMIG）作为主要离子源。附加的计算机控制允许在质谱采集过程中对电子枪进行扫描，以便收集化学图像或地图。还提供了用于调整主光束的二次电子探测器。
特征
初级离子枪
高性能液态金属离子束系统（LMIG），旨在为SIMS应用提供一系列离子束。它具有宽广的电流范围，并具有出色的探测能力以及直流或脉冲操作。数字控制可轻松设置喷枪，并提供遥控功能。
枪管柱由液态金属离子源和高精度两透镜光学组件组成，包括：
标记和对齐单元
光圈选择，可提供多种输出电流选择（通常为手动，但有电动选项）
可选的质量过滤器，与合金源一起使用
偏转板用于消隐光束
可选脉冲聚束
用于成像的光栅板
二次电子检测
对于成像TOF-SIMS系统，必须具有二次电子成像系统。它具有三个主要功能：
聚焦初级离子束
为了允许将射束设置为“静止消隐”， 这是一个调整，允许离子束在高速下消隐，同时光束的失真最小(这是TOF-SIMS成像所必需的)
获得离子感应的二次电子图像。后一种功能只能在连续的初级离子束中实现，通常只有在样品的所有分析工作完成时才能实现
SED系统包括分析腔内的通道探测器，外法兰上安装SED前置放大器。带有SED控制器的电源单元可用于单独的“样品查看”电子单元。
光学观察
在表面分析中，光学观察样品有助于导航和确定后续分析的正确位置。Kore开发了一个具有以下功能的查看系统:
变焦从3 mm 到 400μm视野。。
高放大倍率（<5μm）的高横向光学分辨率。
175毫米的长工作距离非常适合超高真空室，因为在样品附近无法找到相机
安装在70mm OD CF窗口上。
彩色相机安装在显微镜上。
专用彩色监视器显示。
安装在70mm OD CF窗口上的冷双色卤素照明器。
照明和相机的电源
样品处理
X, Y, Z高度稳定平台。平台在X和Y轴上的运动约为±10mm，在z方向上的运动范围为2mm。有一个最佳z高度的概念，在该高度上所有光束都是共焦的。将样品表面移至该位置。如果样品的相对厚度大于1mm，则有两种可能性：
样品可以“背面安装”，这意味着样品位于正确高度的面罩后面。可以通过这种方式安装的样品的最大厚度为~5mm（高5 x 宽8 x长 20（mm））
样品“顶部安装”在样品架上，剖面图为1mm(可根据要求加深)。对于顶部安装较厚的样品，可以使用工作台的z高度调节来降低样品架，使样品表面处于正确的高度。
样品在2-10分钟内被泵入一个小容量负载锁，然后通过一个简单的向前运动和一个磁性耦合样品引入棒的90°扭转动作进入分析室(通过一个手动闸阀)。多孔或“湿”的样品需要更长的时间才能泵入。
延迟提取
该仪器还采用了一种被称为“延迟提取”的技术来提取产生的二次离子。在这项技术中，初级离子轰击表面并产生具有分析意义的次级离子。在主束脉冲轰击样品后的短时间内，对离子提取场进行脉冲轰击。这不仅可以用于二次离子提取，还可以在离子通过分析器到达检测器时进行二次离子压缩。在一些TOF-SIMS仪器中，主束被压缩或“聚束”，但在这种仪器中，是次级离子聚束。这种延迟提取是为了使相同m/z的二次离子在时间上得到聚焦，从而产生比单独使用长主脉冲(60ns)更好的质量分辨率。
电荷中和
使用脉冲离子束/延迟提取组合的优点之一是，在没有离子提取场的情况下，每个TOF循环的周期相对较长。在此期间，低能电子的脉冲(30eV)被指向分析区域。通过这样做，就有可能抵消主离子束轰击绝缘样品时在表面积聚的正电荷的影响。
TOF分析仪
该仪器有一个直径150毫米的反射管分析仪，有效飞行总长度(包括飞行管)为2米。这是一个具有真空高精度电阻的双斜坡反射管，在反射管内部有一个可调节的“延迟”电位，该电位被设置为最佳的光谱性能。
真空抽气
真空泵控制器集成在主仪表架上。两个离子泵在分析室和LMIG源中保持真空。一个涡轮分子泵用于样品负载锁定，背后是一个2级旋转泵。负载锁排气和抽水是通过一个单一的手动按钮实现。高真空计(反向磁控管)随时监测分析室内的压力，用于提供真空联锁保护，当压力超过设定值时关闭高压。
静态SIMS库
该仪器将随Surface Spectra Static SIMS库一起提供。该软件具有包含1900多个光谱的质谱库，涵盖了1000多种不同材料的数据。
该软件还具有峰值搜索工具，允许分析员输入质量峰值在谱库中搜索，以识别未知的化合物和材料。
配件
使用第二个离子源进行深度分析
LMIG不适合腐蚀凹坑，因此，为了进行SIMS深度剖析，我们使用了第二支离子枪专门用于溅射。
通过使用第二个专用离子枪，我们还可以改变溅射离子束的能量。例如，对于几百纳米的浅深度剖面，使用大约1keV的冲击能量将是合适的，而对于更深的剖面，则2-3keV将是合适的。
这与XPS和螺旋深度剖析非常相似，因为分析阶段和溅射阶段是分开的。该技术通过反复循环以下步骤来起作用：
使用分析枪在小范围内以脉冲束模式执行分析x秒钟，其中x是用户可定义的时间，以获取具有重要统计数据（取决于实验）的数据。
分析停止。
溅射束被打开并在更大的区域上光栅化。样品在连续光束模式下溅射y秒，以去除材料，其中y是用户定义的时间，具体取决于当前和光栅的大小。
关闭溅射枪，为步骤1的下一个重复做好准备。
深度剖面中的数据点绘制在每个分析“阶段”的末尾。在“实时”采集时显示一组有限的物种，但运行结束后可以重新展示数据，并可以重新绘制任何物种组合。由于TOF-SIMS中的离子检测是“平行”的，有关每个已记录离子的信息都存储到磁盘中，因此可以做到这一点。
氧气泄漏（氧气喷射）
当样品表面有一种天然氧化物时，正二次离子释放会大大增强。如果实验涉及到足够高的离子剂量来剥离自然氧化物，信号就会急剧下降。一个众所周知的解决方案，用于专门的深度剖面模拟仪器，是使用一个氧初级离子束，这导致一个富氧的“改变层”和增强的信号。还有一种情况是，大部分的增强是通过氧离子注入来实现的，通过在样品表面喷射氧气来实现，同时使用一种替代的初级离子束种类，如Ga+或Ar+。因此，我们提供了一个氧气泄漏选项，通过一个精确的泄漏阀，通过靠近样品的毛细管输送氧气，将氧气“喷射”到样品表面。
Surface Seer成像版本的应用程序类似于“ S”模型，但是现在成像设施将分析范围扩展到了具有异质性样品的微米尺度：
表面化学
微观结构表面
图案化器件（半导体等）
微米级的故障分析
粉剂
纤维类
多层膜
附着力
分层
可印刷性
表面修饰
等离子体处理
表面污染
痕量分析（表面ppm）
催化
同位素分析
参考成交价格：