SNV/U High Performances UV Microchip Series技术参数:
型号 | SNV-05P-100 | SNV-20F-100 | SNU-40P-100 | SNU-60P-100 | SNU-02P-100 | SNU-20F-100 |
波长 | 355nm | 355nm | 355nm | 355nm | 266nm | 266nm |
重复频率 | >5kHz | >19kHz | >19kHz | >29kHz | >6kHz | >19kHz |
恒定脉宽 (FWHM) (1) | <0.6ns | <0.6ns | <0.6ns | <0.6ns | <0.6ns | <0.6ns |
输出功率(2) | >5mW | >10mW | >400mW | >58mW | >2mW | >10mW |
输出能量 | >0.5μJ | >0.5μJ | >2μJ | >2μJ | >0.3μJ | >0.5μJ |
峰值功率 | >0.7kW | 0.7kW | >5kW | >5kW | >0.5kW | >0.7kW |
短期 (1分钟)能量稳定性 (3) | <±2% | <±2% | <±2% | <±2% | <±2% | <±2% |
长期 (6小时)能量稳定性 (3) | <±5% | <±5% | <±5% | <±5% | <±5% | <±5% |
光斑形状 | 高斯 TEM00 | 高斯 TEM00 | 高斯 TEM00 | 高斯 TEM00 | 见注意事项 (5) | 见注意事项 (5) |
光束发散全角 @1/e2水平方向 垂直方向 | 8.5±2mrad 6±2mrad | 11±2mrad 7±2mrad | 11±2mrad 7±2mrad | 11±2mrad 7±2mrad | 11±2mrad <1.5mm(6) | 11.5±2mrad0.65±0.25mrad |
M2(4) | <1.3 | <1.3 | <1.3 | <1.3 | <1.3 | <1.4 |
远场高斯拟合度 | N/A | N/A | N/A | N/A | N/A | >85% |
偏振 | 线性 消光比>20dB | 线性 消光比>20dB | 线性 消光比>20dB | 线性 消光比>20dB | 线性 消光比>20dB | 线性 消光比>20dB |
包装尺寸 | 180x55x36mm | 186x60x36mm | 186x60x36mm | 186x60x36mm | 180x55x36mm | 210x60x36mm |
包装重量 | 400g | 500g | 500g | 500g | 400g | 500g |
可选项 | 光束准直 | 光束准直 | 光束准直 | 光束准直 | 光束准直 | 光束准直 |
可选项 | 同步输出 | 同步输出 | 同步输出 | - | 同步输出 | |
注意事项 | ||||||
(1) 使用 1Ghz 光电二极管和 1GHz/10GS/s 示波器测量。 (2) 使用 OPHIR 热功率传感器 (OPHIR 3A-FS-SH) 进行的测量 (3) 对于 < ± 3°C 和 < 3°C/小时的温度变化,稳定性用热量计测量 - 检测器波段 [DC, 2Hz] (4) 平均平均值 M = √(XY),X 和 Y 分别为椭圆的长轴和短轴 (5) 光束在水平(高斯)和垂直(远场中的(sin x /x)2)平面上表现出不同的轮廓 (6) 5%/95% 直径,距离激光输出 300mm(7) 联系工厂了解可用性 | ||||||