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| 电子光学系统 | 二次电子分辨率 | 0.8 nm@15 kV |
|---|---|---|
| 0.9 nm@1 kV | ||
| 放大倍率 | 20 ~ 2,000,000 x | |
| 电子枪 | 肖特基场发射电子源 | |
| 加速电压 | 0.1 ~ 30 kV | |
| 着陆电压*1,*3 | 0.01 ~ 7 kV | |
| 最大束流 | 200 nA | |
| 探测器 | 标配探测器 | 上探测器（UD） |
| 下探测器（LD） | ||
| 选配探测器*3 | 镜筒内背散射电子探测器（MD） | |
| 半导体式背散射电子探测器（PD-BSE） | ||
| 高灵敏低真空探测器（UVD） | ||
| 扫描透射探测器（STEM） | ||
| 选配附件*2 | X射线能谱仪（EDS） | |
| 电子背散射衍射探测器(EBSD) | ||
| 样品台 | 马达驱动轴 | 5轴马达驱动 |
| 移动范围 | ||
| X | 0 ~ 110 mm | |
| Y | 0 ~ 110 mm | |
| Z | 1.5 ~ 40 mm | |
| T | -5 ~ 70° | |
| R | 360° | |
| 样品室 | 样品尺寸 | 最大直径：150 mm*4 |
| 低真空模式 | 真空范围 | 5 ~ 300 Pa |