专为4D STEM设计的混合像素探测器 DECTRIS ARINA技术特点

【技术特点】-- 专为4D STEM设计的混合像素探测器 DECTRIS ARINA

DECTRIS ARINA®可伸缩电子计数探测器是专门为4D STEM应用开发的。它采用了一个全新的专有集成电路设计（ASIC），结合高达每秒12万帧的理想速度、高动态范围和无噪音的读出能力，从而使高质量的数据采集达到传统STEM探测的原生速度。得益于DECTRIS的混合像素技术，ARINA可以采用不同的传感器材料，并能在30-300 KeV的整个能量范围内都有理想表现。它拥有结构紧凑的设计和一个20 mm乘20 mm或192像素乘192像素的有效区域。 DECTRIS ARINA 适合于停留时间低于10 μs的广泛 4D STEM应用，包括从晶相 和取向分布分析到层叠成像技术，以及使用虚拟探测器进行灵活的 STEM 图像重建。

技术规格

帧频(max)	120,000 Hz
计数率(max)	10^⁸ el/s/pixel
像素数	192 x 192
像素大小	100 x 100 µm²
传感器材料	硅 (Si) 或CdZnTe
能量范围	30 - 300 keV
探测器安装	可伸缩

DECTRIS ARINA® 可伸缩电子计数检测器专为 4D STEM 应用而开发。它采用新的ASIC，将高达每秒120,000帧的极速与高动态范围和无噪声读数相结合，从而能够以传统STEM测量的原始速度进行高质量的数据采集。得益于DECTRIS的混合像素技术，ARINA可以使用不同的传感器材料，并在30-300 keV的整个能量范围内发挥最佳性能。

DECTRIS ARINA 适用于停留时间低于 4 μs 的广泛 10D STEM 应用，从晶相和取向映射到层析，包括使用虚拟探测器进行灵活的 STEM 图像重建。

• 快速而灵敏：即使在 120 kHz 的帧速率下，DECTRIS ARINA 也可以计算每个电子，最高可达 10 pA/像素。

• 灵活：DECTRIS ARINA 采用硅 （Si） 或高阻传感器材料，涵盖从 30 到 300 keV 的广泛能量范围。

• 赋能：我们由志同道合的科学家和工程师组成的团队随时为您提供帮助，帮助您充分利用您的设置。

探测器规格*

像素数（宽 x 高）	约192 x 192
有效区域（宽 x 高） [ 平方毫米 ]	约20 x 20
像素尺寸（宽 x 高） [ 微米² ]	约100 x 100
传感器材料	硅 （Si） 或高阻
能量范围 [ 凯文 ]	30 - 300
帧速率（最大） [ 赫兹 ]	120,000
计数率（最大） [ el/s/像素 ]	108
检测量子效率，DQE（0）	在 80 keV 时 - 0.82 |在 200 keV 时 - 0.75 |在 300 keV 时 - 0.75
探测器安装	伸缩自如的

*所有规格如有更改，恕不另行通知。
所有技术文档均可在此处获得。

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【技术特点对用户带来的好处】-- 专为4D STEM设计的混合像素探测器 DECTRIS ARINA

【典型应用举例】-- 专为4D STEM设计的混合像素探测器 DECTRIS ARINA