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PNDetector环形背散射探头是将高速成像和低噪声信号检测相结合，在较宽的能量范围内。可提供集成前置放大器级的整套模组或单个BSE芯片。
产品特点
1、更高收集效率
采用优化芯片工艺及架构，极大增强了信号收集效率及及信号探测感度
2、更快探测速度：
集成4通道前置放大器和低信号容量使成像速度超过电视速度，扫描速率高达100 MHz
3、更低信号噪音：
低暗电流和信号电容值的特点使之特别适合电子束敏感样品低噪声成像
4、小工作距离成像：
超薄扁平铝外壳封装，允许非常小工作距离成像
5、多种几何结构设计选择：
可提供不同几何设计的BSE二极管，满足不同应用需求成像
6、多种几何结构设计选择：
可提供不同几何设计的BSE二极管，满足不同应用需求成像
7、提供定制方案：
提供定制方案，得益于自有的专门用于制造耐辐照芯片工厂，从而能够提供从芯片到模块的定制设计，提供了无与伦比的自由度。
产品应用
BSD 背散射检测器
PNDetector的BSD具有非常低的信号电容和漏电流水平，与高速前置放大器相结合，可在高达100 MHz的扫描速率下实现最佳性能。
低至 3 pF/通道的低传感器电容可实现高速成像，并支持极低的噪声特性
涵盖 0.5 keV 至 300 keV 的宽一次能量范围
信号上升时间低至 10 纳秒
高达 65% 的出色几何采集效率，可实现更高的信号强度和对比度
定制设计灵活性高
标准BSD具有灵活的配置，可用于不同的芯片几何形状。它可以与我们的 4 通道独立前置放大器组合成一个包含电子元件的整体模块，也可以用作单个探测器模块。
Advanced BSD 配备集成式 4 通道前置放大器，具有不同的芯片几何形状，可实现超越 TV-Speed 的超快成像，扫描速率高达 100 MHz，信号电容低。我们的高级 BSD 是即插即用安装和高吞吐量的最佳选择。
我们的 BSD 具有不同的芯片几何形状和有效面积从 40 mm² 到 150 mm² 不等，是 SEM 极片下方固定位置设置应用的最佳选择。
低于 1 nA 的极低暗电流
低至 3 pF 的极低信号电容
非磁性材料和低释气
为您的应用优化的探测器几何形状
与我们的独立 4 通道前置放大器组合成一个完整的探测器模块。这款前置放大器尺寸紧凑，仅为 33 mm x 29 mm x 5.5 mm，适用于 BSD 二极管周围空间有限的应用。它配备了两根柔性引线电缆，可从一侧连接到我们的标准 BSD，从另一侧连接到主放大器
选择适合您需求的几何形状：
STD-BSD-40-4-1-10 检测器
40 mm² 有效区域，4 段和 1 个环，中心孔直径 1 mm
STD-BSD-50-4-1-56 检测器
50 mm² 有效区域，4 段和 1 个环，中心孔直径 5.6 mm
STD-BSD-80-4-1-20 检测器
80 mm² 有效区域，4 段和 1 个环，中心孔直径 2 mm
STD-BSD-150-4-1-20 检测器
150 mm² 有效区域，4 段和 1 个环，中心孔直径 2 mm
STD-BSD-150-4-1-50 检测器
150 mm² 有效区域，4 段和 1 个环，中心孔直径 5 mm
STD-BSD-150-2-2-20 检测器
150 mm² 有效区域，2 段和 2 个环，中心孔直径 2 mm
独立前置放大器
高级背散射检测器
我们专业地将前置放大器集成到与标准 BSD 探测器相同的超薄外壳中，以优化您的操作速度和工作流程的便利性。
可在高清电视速度下实现超快成像，像素停留时间低至 10 ns
图像清晰，无伪影
以最高扫描速度直接搜索样品
由于能量范围低至 0.5 keV，因此增强了信息深度
客户定制解决方案，完美契合任何SEM系统
真空兼容组件
提供两种版本的单和双可切换前置放大增益
与 PNDetector 的伸缩臂结合使用，只需在 SEM 室中移动即可
Advanced BSD 的单增益版本与所有类型的 PNDetector BSD 芯片兼容。
PNDetector的可切换增益高级BSD是单增益版本的最新发展成果。它可以轻松覆盖 SEM 的整个频谱，可在低能量和高速模式下在 2 个前置放大器增益之间切换。
参考成交价格：