TeraSense 太赫兹发射器（IMPATT diode）技术特点

【技术特点】-- TeraSense 太赫兹发射器（IMPATT diode）

TeraSense公司简介：

TeraSense是一家俄罗斯的太赫兹设备生产商，主要产品包括：低成本、便携式亚太赫兹成像相机、太赫兹发射源和超快探测器等。TeraSense拥有一支强大的技术团队，包括20多位富有经验的科学家和工程师。他们中的大多数都拥有微波和太赫兹研究领域的博士学位，代表了俄罗斯物理学家的年轻一代。科学组已经取得了多项研究成果，并且在国际同行业评审期刊上发表了超过300篇论文。

太赫兹发射器产品描述：

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT diode，碰撞雪崩渡越时间二极管），是一种硅双漂移二极管，过渡区域0.6um，安装在铜散热器上。双偏移二极管的分层：重掺杂(p +)层，适度掺杂（p-）层，适度掺杂（n-）层和重掺杂(n +)层。(p +)和(n+)层允许欧姆电触点接触到外部电路。设备依靠负电阻产生和维持振荡。

Terasense现在提供雪崩渡越二极管的升级版本。升级后的雪崩渡越二极管配备防护隔离器，大大提高了输出功率的稳定性。你可以根据需要，选择带有严格固定的喇叭天线的雪崩渡越二极管，或带有WR -法兰的雪崩渡越二极管。优化频率为100 GHz时，雪崩渡越二极管的典型输出功率可以达到100mW。

太赫兹发射器产品特点：

可用频率: 100 GHz ，140 GHz

大功率输出 (80 mW，30mW)

稳定性高

线宽缩小至1 MHz

工作电流: 150 – 180 mA

价格低廉

结构紧凑，体积小，易于集成

【技术特点对用户带来的好处】-- TeraSense 太赫兹发射器（IMPATT diode）

【典型应用举例】-- TeraSense 太赫兹发射器（IMPATT diode）