芬兰原子层沉积技术PI...
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薄膜沉积PICOSUN™ALD-P300B型 技术参数:



衬底尺寸和类型

200mm晶圆 25片/批次(标准间距)

150mm 晶圆 50片/批次(标准间距)

100mm 晶圆 75片/批次(标准间距)

非标准晶圆类基底(使用定制夹具)

高深宽比基底(zei大深宽比1:2500)

工艺温度
50 – 500°C


标准工艺 

· 批量生产的平均工艺时间小于10秒/循环*

· Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN,TiN以及   各种金属

·  同一批次薄膜不均匀性<1% 1σ

   (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**


基片加载

气动升降,手动装载

线性半自动装载


前驱体

液态,固态,气态,臭氧源

源瓶余量传感器,提供清洗和装源服务

4根独立的源管线,zei多加载8个前驱体源


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