原子层沉积技术ALD-P1...
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原子层沉积技术ALD-P1000技术参数

衬底尺寸和类型

大小不等的3D结构物件(例如:机械零件、玻璃或金属片、硬币、珠宝以及医疗植入物等)

工艺温度50 - 400 °C
标准选件Al2O3, ZnO, TiO2
基片装载

通过装载工具进行手动装                                                                     

前驱体

液态、固态、气态、臭氧源

源瓶余量传感器,提供清洗和装源服务

6根独立源管线,zei多加载10个前驱体源


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