薄膜沉积制备系统 芬兰PICOSUN™ R200系列技术特点

【技术特点】-- 薄膜沉积制备系统 芬兰PICOSUN™ R200系列

Picosun给做III-V半导体及其他复合物的半导体工厂提供尖端的ALD生产解决方案。

PICOSUN.ALD针对200mm尺寸晶圆（向下兼容）可以提供无与伦比的专业知识和优化的设备选型功能，能为zei先进的化合物半导体产品降低成本和提供高质量薄膜工艺。

ALD工艺包括：Al2O3、ZnO、TiO2、SiO2、ZrO2和HfO2、Ta2O5；氮化物如：氮化钛、氮化铝以及金属。

薄膜沉积制备系统 芬兰PICOSUN™ R200系列ALD在III- V半导体器件的应用:

ALD在复合半导体的应用包括(不局限于以下)：

. 高电子迁移率晶体管(HEMT)

. 金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与金 属-半导体场效应晶体管(MESFET)

. 垂直腔面发射激光器(VCSEL)和其他激光二极管

. 多节太阳能电池

. LEDs

. 声表面滤波器(SAW)/体声滤波器(BAW filters)

薄膜沉积制备系统 芬兰PICOSUN™ R200系列ALD能够应用在:

. 表面钝化以减少边界缺陷

. 高k介电材料

. 扩散阻挡层防止元素混合

. 不同环境下的器件封装保护

【技术特点对用户带来的好处】-- 薄膜沉积制备系统 芬兰PICOSUN™ R200系列

【典型应用举例】-- 薄膜沉积制备系统 芬兰PICOSUN™ R200系列