785nm单模半导体激光...
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技术参数

参数

符号

zei低值

典型值

zei高值

单位

输出功率

Po


120


mW

中心波长

λc

784.5

785

785.5

nm

光谱半高宽度

FWHM


0.05


nm

边模抑制比

SMSR

40

50


dB

阈值电流

Ith


40


mA

工作电流

Iop


170

200

mA

工作电压

Vop


1.9

2.2

V

TEC温度设定

TTEC


25


oC

TEC电流

ITEC



2.5

A

TEC电压

VTEC



4.8

V

工作温度

To

-10

25

40

oC

储存温度

Ts

-20


80

oC


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