785nm窄线宽高功率半...

785nm窄线宽高功率半导体激光器模块参数指标

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技术参数

参数

符号

zei低值

典型值

zei高值

单位

输出功率*

Po


500


mW

中心波长

λc

784.5

785

785.5

nm

光谱半高宽度

FWHM


0.08

0.12

nm

边模抑制比

SMSR

30

35


dB

工作电流

Icc



5

A

工作电压

Vcc

4.75

5

5.25

V

模拟调制输入信号

(TTL控制)

Mod

0


2.5

V

工作温度

To

-10

25

40

oC

储存温度

Ts

-20


80

oC


备注:*. 1、TTL控制输出功率,Po=Mod×200  (±10%)

        2、USB控制输出功率,Po=0~500   (±10%)


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