Jenoptik业纳半导体激光器巴条 单管芯片技术特点

【技术特点】-- Jenoptik业纳半导体激光器巴条 单管芯片

波长：792nm, 808nm, 830nm, 880nm, 915nm, 940nm, 980nm, 1060nm，

腔长：0.6mm, 1.0mm, 1.5mm, 2.0mm, 3.5mm

填充因子：20%, 30%, 50%, 75%。

zei大单个巴条的输出连续功率为160W，zei大脉冲功率达到300W

产品型号命名规则：

JDL-BAB-20-19-808-TE-50-1.5 19：发光点个数

JDL：生产厂家：JENOPTIK Diode Lab GmbH 808：波长

BAR：表示裸巴 TE：发光偏振模式

20：填充因子 50：输出功率

1.5：腔长

【技术特点对用户带来的好处】-- Jenoptik业纳半导体激光器巴条 单管芯片

【典型应用举例】-- Jenoptik业纳半导体激光器巴条 单管芯片