1   自动控制系统：触摸屏+AI智能控制控温仪+PLC

2   炉温范围：0～1150℃（zei高瞬时温度1300度）

3   加热方式：进口硅碳棒发热体

4   控温精度：±1℃（双热电偶测温）

5   升温速度：≥40℃/min （可调整）

6   托盘转速：17r/min （变频器无极调速、可正反向旋转）

7   炉体前摆幅：0°～15°可调

8   炉体后摆幅：0°～40°可调

9   zei大功率：8kW﹙常用功率2～5 kW﹚

10  熔样数量：1～6位﹙适用于样品量较多的企业在线生产，zei多一次可熔六个样片﹚

11  控制系统：可提供9条工作曲线（可任意修改控温参数）

1）熔样温度：  0～1170℃可选

2）前静置时间：0～9999S可选

3）摆动时间：  0～9999S可选

4）后静置时间：0～9999S

5）运行极限时间：165h

12   加热输出控制：可控硅移相触发控制（节电、减少电源波动）

13   熔样工作方式：旋转加摇摆（使样品呈涡流运动，确保样品达到zei佳的均匀度和zei佳的排气泡效果）。样品在坩埚内一次成型.无须二次倒模

14  熔样质量要求：熔样反应充分彻底，重现性好充分满足荧光设备分析高速、高质量的要求

15  熔样速度：5~16分钟/6个﹙不同样品时间不同﹚；升温速度：0℃-1000℃小于30分钟

16  保护功能：过压、过流、断偶、超温报警等保护功能。

17  机体尺寸：长1200×宽630×高1020mm

18  所需电源：加热电路：单相 380V、63A  50Hz

              机械动力电路： 单相220V、10A  50Hz