项目 | 内容 |
FIB镜筒 |
分辨率 | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
加速电压 | 0.5~30 kV |
束流 | 0.05 pA ~ 100 nA |
FE-SEM镜筒 |
分辨率 | 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV |
加速电压 | 0.5~30 kV |
电子枪 | 冷场场发射型 |
探测器 |
標準検出器 | In-lens 二次电子探测器/样品室二次电子探测器/背散射电子探测器 |
样品台 | X:0 ~ 205 mm |
Y:0 ~ 205 mm |
Z:0 ~ 10 mm |
R:0 ~ 360°连续 |
T:-5 ~ 60° |