●一次解吸温度：50-380℃，控制精度±1℃l
●冷阱（电子半导体制冷）温度：最低制冷温度可达零下30度l
●二次解吸温度：150-380℃，升温速率>1800℃/分
●管路加热温度：50-200℃，控制精度±1℃l
●最大功率：<800VA