位置单向定位精度： 1 μm
    位置双向定位精度： 3 μm
    最大扫描区域： 150 mm × 50 mm
    局部测量精度： 10 μm (与该区域的热传导有关)
    信号测量精度：  100 nV

    测量结果重复性： 优于3% 误差
    塞贝克系数：  < 3% (半导体)
                            < 5% (金属)
    电导率：          < 5% (半导体)
                            < 8% (金属)

    测量速度：       测量一个点的时间小于4秒