【技术特点】-- IonEtch Sputter Gun溅射离子枪，等离子体发生源

溅射离子枪主要用途:

• 溅射清洗/表面科学中样品表面处理, MBE and HV 溅射过程

• 离子辅助沉积

• 离子束溅射镀膜

• 反应离子刻蚀
  

技术指标:

离子能量	25eV - 5keV
总的离子束电流	1mA (at 5kV with Argon) High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon)
电流密度	120μA/cm2 at 100mm working distance
离子束发散角	Ion energy dependant (typically 15°)
工作距离	100 mm (typically)
等离子体杯	Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)
气体进气口径	CF-16 (1.33“OD)
气体流速	1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)
工作真空度	10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max.
激发模式	微波放电等离子体 (无灯丝)
安装口径	CF-35 (2.75“OD)
枪直径	34mm (真空端)
泄露阀	需要气体质量流量计

【技术特点对用户带来的好处】-- IonEtch Sputter Gun溅射离子枪，等离子体发生源

【典型应用举例】-- IonEtch Sputter Gun溅射离子枪，等离子体发生源