Ge晶体基片
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产品名称:

Ge晶体基片

产品简介:

化学符号为Ge ,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。

技术参数:

晶体结构:立方:a = 5.6754 ?;生长方法:提拉法;密度:5.765 g/cm3 熔点:937.4 ℃热传导性:640掺杂物质:不掺杂;掺Sb;掺Ga类型:/;N;P;电阻率W.cm:>35;0.05;0.05-0.1;EPD: < 4x103/cm2;

 

产品规格:

晶体方向: <111>,<100>and<110>± 0.5o 

标准尺寸:dia1“x 0.50 mm;dia2“x0.5mm;dia4“x0.5mm

(<110> Ra<5A,不化抛)

注:可按照客户要求加工尺寸及方向。


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