Fermionics 高速InGaA...
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1.探测速度非常快、电容低、暗电流低;

2.适用于高比特率接收机、高速模拟和数字通信系统、LAN、FDDI、红外仪器和探测应用;

3.所有的器件使用平面钝化技术制造;

4.光灵敏表面镀有宽带增透膜;

5.光灵敏区域直径:50、80、100、150和300微米;

6.存储温度:-40~100℃;工作温度:-40~85℃。

大面积InGaAs光电二极管(FD500~FD5000W)


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