产品名称：

Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜?P型掺Mg

（Al0.1GaN0.9?epitaxial?template?on?Sapphire??P?type?）

常规尺寸：

dia2“+ 200nm ±20nm

标准包装：

技术参数：

1000级超净室及100级超净纸真空包装或单片盒装

Al2O3晶向：

c-axis (0001) +/- 1.0 o

导电类型：

P型掺Mg

薄膜厚度：

200nm ±20nm；产品级；

正面情况（front surface finish Ga face ）：

As-grown

反面情况Back Surface Finish Sapphire ）：

as-received finish

可用区域：

>90% ；Edge Exclusion Area 1mm

数据图：

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