产品名称：

Si+Si3N4薄膜(进口料Silicon Nitride Film (PE-CVD) on Front Polished Side of Silicom Wafer P type doped B）

常规尺寸：

dia 4“ +/- 0.5 mm x 0.525 +/- 0.025 mm

标准包装：

技术参数：

1000级超净室100级超净袋真空包装、单片盒或插盒

Si参数：

晶向：<100>±0.5°；

掺杂类型：P型掺B；

电阻率:<0.02 ohm-cm；

抛光：单抛；

Si3N4参数：

生长方法：low stress PE-CVD method

薄膜厚度：100nm +/- 8%

镀膜情况：Si3N4 covers front polished side of Silicon wafer ONLY