产品名称：

Al2O3镀GaN薄膜（进口Si-doped?GaN?(0001)?Epitaxial?Template?on?Sapphire?N+type)

技术参数：

GaN类型：N 型掺SiGaN

薄膜厚度：<0001> 5um ±1umGaN

电阻率：<0.02 Ohm-cmGaN

载体浓度Carrier concentration：5x10^17-1x10^19/cc

正面 Front surface：Ga-faceAl2O3

参数：<0001> miscut: 0.3 deg +/- 0.1 deg toward M plane，单抛

产品尺寸：

dia 4inch +/- 0.25mm

标准包装：

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒