技术参数：

Si基片参数：N型掺P； dia 4inch  x 0.5mm-0.55mm 

Si晶向：<100> with flats 2 SEMI-STD on Axis 0 degree offSi

电阻率：1-10ohm.cmParticles:< 50 @ >0.20 um

Ge薄膜参数：0.5 um +/- 3%；<100>;N型；P型掺杂浓度：(1-5)E19 /ccCurrent 

RMS spec：表面粗糙度 < 2 nm

产品尺寸：

dia4 inch or 10x10mm

标准包装：

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒