Si上镀Cu薄膜（进口Cu coated Si Wafer ）参数指标

技术参数：

薄膜厚度：400nm highly oriented poly crystalline Cu <111> 

Si基底尺寸： dia4”x0.525mm

Si参数：P型掺B， <100> ,单抛，

电阻率：1-20 ohm-cm

表面粗糙度： as grown , N/A

产品规格：

 dia 4 inch or 10x10mm

标准包装：

1000级超净室100级超净袋真空封装或者单片盒装