技术参数
主要特点
转速采用手动调整变频器频率的控制方式
可同时对4片最大尺寸为Φ2“ 的基片进行双面研磨抛光
可进行薄片的双面减薄
是双面研磨抛光Si、 Ge 、氧化物单晶基片的理想工具
电源：220V 50Hz
功率：550W
磨抛盘：Φ225mm
磨抛盘转速：0-72rpm内无级可调
最大样件尺寸：Φ50mm，厚度≤15mm
上磨抛盘重量：3.5kg
产品规格
尺寸：650mm×500mm×580mm；
重量：80kg
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参考成交价格：
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