超薄Si片
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产品名称:

超薄Si片

产品简介:

化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。

产品参数:

 掺杂物质 掺B 掺P 类型 P N 电阻率Ω.cm 10-3 ~ 40 10-3 ~ 40 EPD(cm-2 ) ≤100 ≤100 氧含量( /cm3 ) ≤1.8 x1018 ≤1.8 x1018 碳含量( /cm3 ) ≤5x1016 ≤5x101

 

常规尺寸:

晶体方向:  <111> ;  <100> ;  <110>  ± 0.5°  或  特殊的方向

常规尺寸:dia2“x0.1mm、 dia2“x0.2 mm;

尺寸公差:dia2“直径公差±0.4mm;厚度公差±25um;

表面粗糙度:Ra<10A

同时可提供热氧化SiO2层的Si片;Si+SiO2+Ti+Pt的基!欢迎您的咨询!

备注:

1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装


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