磷化镓(GaP)晶体基片技术特点

【技术特点】-- 磷化镓(GaP)晶体基片

产品名称：	磷化铟(InP)晶体基片
产品简介：
技术参数：	单晶：InP掺杂：None；Sn；S；Fe：Zn硬度：3.0莫氏硬度密度：4.78 g/cm3导电类型：N；N；N；Si；P折射率：3.45载流子浓度cm-3 ：1-2x1016 、1-3x1018 、1-4x1018、6-4x1018位错密度cm-2 ：<5x104生长方法：LEC温度：1072℃弹性模量：7.1E11dyn Cm-2
常规尺寸：	常规晶向：<100>； 常规尺寸：10x10x0.5mm、dia2“x0.5mm； 抛光情况：单抛或双抛; 表面粗糙度Ra：<15A 注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
备注：	1000级超净室100级超净袋

【技术特点对用户带来的好处】-- 磷化镓(GaP)晶体基片

【典型应用举例】-- 磷化镓(GaP)晶体基片