锑化铟(InSb)晶体基片
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产品名称：锑化铟(InSb)晶体基片
产品简介：
技术参数： 单晶 InSb 掺杂 None;Te;Ge 导电类型 N;N;P 载流子浓度cm-3 1-5x1014   1-2x1015         位错密度cm-2 <2x102
产品规格：标准尺寸：2“x0.5mm, 表面粗糙度Ra:<15A        注：可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。
标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装


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