砷化铟(InAs)晶体基片技术特点

【技术特点】-- 砷化铟(InAs)晶体基片

产品名称：	砷化铟（InAs）晶体
产品简介：
技术参数：	晶体结构：立方 a =5.4505 ?生长方法:CZ导电类型：N型掺杂类型：不掺杂载流子浓度：2 ~ 5E16 / cm3 迁移率：>18500cm2/V.S
常规尺寸：	常规晶向：<100>、<111>； 常规尺寸：10x10x0.5mm; dia2″x0.5mm;抛光情况：单抛或双抛; 表面粗糙度Ra:<15A 注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
备注：	1000级超净室100级超净袋

【技术特点对用户带来的好处】-- 砷化铟(InAs)晶体基片

【典型应用举例】-- 砷化铟(InAs)晶体基片