离子铣削系统产品规格
离子源
两个离子枪：
集中的高能离子枪操作从10 keV或
可选的超高能离子枪，可操作高达16 keV
聚焦低能离子枪的范围为100eV至2keV
光束电流密度：
最大。聚焦高能离子枪为100 mA /cm2
最大。 150 mA /cm2超高能离子枪
最大。用于聚焦低能量离子枪的10 mA /cm2
溅射速率：
聚焦高能离子枪30°C时Si为150μm/小时
超高能离子枪30度时Si为550微米/小时
聚焦低能离子枪30°C时Si为28μm/小时
样品定位台和样品台
样品量：
斜度切削样品台（可提供30o，45o，90o倾斜平台）
30o，45o持有人：最大20 mm（l）x 16 mm（w）x 7 mm（th）
90o持有人：最大20 mm（l）x 16 mm（w）x 5.5 mm（th）
用于表面清洁的样品架（EBSD）使用3种不同的头型：
平头型：最大?36mm x 0-5.5 mm
标准型：最大?26mm x 3-14 mm
中空型：最大?24mm x 13-19 mm
样品倾斜：0o至30o，以0.1o为增量
样品旋转：平面内旋转360o（仅适用于表面清洁样品架）
样品振荡：10°步进的+10o至+40o的平面内振荡
样品冷却
LN2冷却用于制备热敏样品 - 可选
Peltier冷却保护样品免受热量超限 - 可选
真空系统
无油隔膜和涡轮分子泵（Pirani / Penning）真空计
供气系统
99.999％纯度的氩气
高精度工作气体流量控制与电动针阀
成像系统
高分辨率CMOS相机，手动变焦视频镜头为50-400x放大倍数
电脑控制
易于使用的图形界面，自动离子源设置，铣削参数设置和操作控制