WEP+CVP21+电化学ECV ,掺杂浓度PN结深测试参数指标

技术参数：

产品完美结合我们在电化学方分布测试方面超过３０年的经验和世界上最先进的电路系统。　 
全自动，　特别适用于新材料，　如氮化镓，　碳化硅材料等。　 

有效检测: 

•外延材料 
•扩散 
•离子注入 
适用材料: CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。 
IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等… 
III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等… 
三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等… 
四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等… 
氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等… 
II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等… 
其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。 

　 
载流子浓度测量范围: 
•最大 1021/cm³ 
•最小 1011/cm³ 
深度解析度: 
•最大无上限 
•最小可至1 nm （或更低） 
模块化系统结构: 
•拓扑型结构 
•实时监控腐蚀过程 
•适于微小样品及大尺寸的晶圆 
全自动化系统: