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Phenom Pro 主要技术参数
| 光学放大 | 20 - 135 X |
| 电子放大 | 80 - 150,000 X |
| 分辨率 | 优于 8 nm |
| 数字放大 | Max. 12 X |
| 光学导航相机 | 彩色 |
| 加速电压 | 5 Kv - 15 Kv 连续可调 |
| 真空模式 | 高分辨率模式；降低荷电效应模式 |
| 探测器 | 背散射电子探测器；二次电子探测器（选配） |
| 样品尺寸 | zei大直径 32 mm |
| 样品高度 | zei高 100 mm |
背散射电子图像分辨率：优于 8 nm
加速电压：5-15KV
放大倍数：20-150,000x
仪器种类：六硼化铈
探测器：高灵敏度四分割背散射电子探测器
灯丝材料：1,500 小时 CeB6 灯丝
分辨率：优于 8 nm @ 10kV
放置环境：采用专业防震设计，可摆放于普通实验室或办公室、厂房
加速电压：5kV-15kV 连续可调
抽真空时间：小于 15 秒
| Phenom Pro | Phenom ProX | Phenom XL | |
| 光学放大 | 20 - 135 X | 20 - 135 X | 3 - 16 X |
| 电子光学放大 | 80 - 150,000 X | 80 - 150,000 X | 80 - 100,000 X |
| 分辨率 | 优于 8 nm | 优于 8 nm | 优于 14 nm |
| 数字放大 | Max. 12 X | Max. 12 X | Max. 12 X |
| 光学导航相机 | 彩色 | 彩色 | 彩色 |
| 加速电压 | 5 Kv - 15 Kv 连续可调 | 5 Kv - 15 Kv 连续可调 | 5 Kv - 20 Kv 连续可调 |
| 真空模式 | 高分辨率模式 | 高分辨率模式 | 高分辨率模式 |
| 降低荷电效应模式 | 降低荷电效应模式 | 降低荷电效应模式 | |
| 高真空模式 | |||
| 探测器 | 背散射电子探测器 | 背散射电子探测器 | 背散射电子探测器 |
| 二次电子探测器 (选配) | 二次电子探测器 (选配) | 二次电子探测器 (选配) | |
| 样品尺寸 | zei大直径 32 mm (Ø) | zei大直径 32 mm (Ø) | zei大 100 mm X 100 mm |
| 可同时装载 36 个 0.5 英寸样品台 | |||
| 样品高度 | zei高 100 mm | zei高 100 mm | zei高 65 mm |