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离子源
| 离子枪 | 两把鞍形场离子枪，离子研磨区域大 |
| 离子能量 | 0.8kev至10kev（0.1kev每步） |
| 离子束流 | ≤4.5mA（每把离子枪） |
| 离子束流密度 | 8kV/3mA条件下约1mA/cm2（每把离子枪） |
| 离子束半高宽FWHM | 10keV条件下0.8mm，2keV条件下2.5mm |
| 使用气体 | 氩气，纯度99.999%（Ar5.0）进气气压200-800mbar |
| 气体流速 | 每把离子枪小于1 sccm，自动控制 |
倾斜角度设定（电脑控制）
| 离子枪倾斜 -离子枪1 -离子枪2 |
±45°（精度为0.1°） ±45°（精度为0.1°） |
| 样品台倾斜范围 | -230°至100°（精度为0.1°） |
| 离子研磨角度范围 | -90°至90°（角度与不同样品台有关） |
样品移动范围（电脑控制）
| 旋转速率 | 0.6至10rpm |
| 摆动范围 | ≤360°，每步1° |
| 零位设置 | 每步1° |
| X方向移动 | ±5mm，精度0.1mm |
| 倾斜范围 | -230°至100° |
装载样品尺寸
尺寸与重量
| 主机 | 宽 | 深 | 高 | 净重 |
| 720mm | 700mm | 950mm | ~100kg |
与徕卡EM TXP 相兼容
在使用徕卡EM RES102 之前，往往需要对样品进行机械预加工以切割研磨抛光到尽可能接近于目标区域。徕卡EM TXP
是一款专门的可对目标区域进行精准定位的表面处理设备，可对样品进行切割及抛光等，适合于作为如徕卡EM RES102 等设备的前期制样工具。徕卡EM
TXP 可对样品进行诸如切割，铣削，研磨及抛光等前处理，尤其适用于需要目标精细定位或需对微小目标进行定点处理的高难度样品。
