外观尺寸：紧凑型立柜式设计，不锈钢腔体，外观尺寸为44”(W) x 26”(L) x62”(H)；

等离子源：NM-ICP平面电感耦合等离子体源，带有自动调谐器，激活面积可以达到8”；

处理腔体：13”的圆柱形超净腔体，材质为阳极电镀铝。晶片通过气动顶盖装载，腔体带有上载安全锁，用户可以通过PC控制，最大可支持的晶圆尺寸为6”。腔体带有2”的观察窗口。腔体顶部的喷嘴式气流分配装置，提供8”区域的气体均匀分布。系统带暗区保护。

样品台：6”的托盘夹具，能够支持6”的Wafer。可以支持冷却功能，包含气动截止阀；

流量控制：支持6个或更多的MFC’s 用于ICP高速刻蚀，带气动截止阀，所有的慢/快通道采用电磁阀和气动阀控制，电抛光的不锈钢气体管路带有VCR和VCO(压控振荡器)配件，所有导管以尽可能短的导轨密封设计，从而减低空间浪费并达到快速的气路切换。所有处理气体的管路在处理结束后，采用N2自动冲洗。

真空系统：泵组包含涡轮分子泵和旋叶真空泵。

RF电源：13.56MHz，带自动调谐功能的1200W射频电源，作为ICP源。另外，带自动调谐功能的600W射频电源用于基台偏压。

操作控制：整个系统通过预装的Lab View软件和触摸监控系统，实现PC全自动控制。MFC,阀和顶盖都是气动式的，都可PC控制。系统的实时压力和直流自偏压以图表格式显示，而流量和功率则以字母数字形式显示。系统提供密码和安全连锁机制的四级权限控制。