外观尺寸：紧凑型立柜式设计，不锈钢腔体，外观尺寸为28”(W) x 42”(L) x64”(H)；

等离子源：NM ICP平面等离子源，带淋浴头气体分布系统。等离子源安装在腔体顶部，通过ISO250的法兰连接；

处理腔体：13”圆柱形铝质腔体，自动上下载片，最大支持6”（可以升级腔体支持更大基片）。腔体带有2”的观察窗口。腔体顶部的喷嘴式气流分配装置，提供8”区域的气体均匀分布。系统带暗区保护。

样品台：6”的托盘夹具，能够支持6”的Wafer。可以冷却到-120摄氏度（包含LN2循环水冷系统），并采用He气实现背部冷却和自动锁紧，微精细地控制He气流量，包含气动截止阀；

流量控制：支持5个或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蚀，带气动截止阀，所有的慢/快通道采用电磁阀和气动阀控制，电抛光的不锈钢气体管路带有VCR和VCO(压控振荡器)配件，所有导管以尽可能短的导轨密封设计，从而减低空间浪费并达到快速的气路切换。所有处理气体的管路在处理结束后，采用N2自动冲洗。

真空系统：泵组包含涡轮分子泵和旋叶真空泵。

RF电源：13.56MHz，带自动调谐功能的1000W射频电源，作为ICP源。另外，带自动调谐功能的600W射频电源用于基台偏压。

操作控制：整个系统通过预装的Lab View软件和触摸监控系统，实现PC全自动控制。MFC,阀和顶盖都是气动式的，都可PC控制。系统的实时压力和直流自偏压以图表格式显示，而流量和功率则以字母数字形式显示。系统提供密码和安全连锁机制的四级权限控制。