技术参数

1、溅射头直径：?46.3mm

2、所用靶材：直径1“±0.02“（25.4mm），最大厚度1/8“（3mm）        

3、磁环：NdFeB稀土永磁体

4、柄杆直径：外径3/4“

5、电路接头：标准HN型接头，可与DC和RF电源相匹配

6、所需功率：DC最大250W，RF最大100W

7、阴极溅射电流：最大3A

8、阴极溅射电压：200V-1000V

9、工作压力范围：1mtorr-1torr

10、溅射厚度均匀性：采用磁控溅射在氧化非晶硅片上沉积一个20nm的薄膜，直流功率150W，真空环境

                                       10mtorr，1“铜靶，与基片距离75mm