MDPmap能够连续地改变激发脉冲宽度，从非常短的脉冲(100ns)到稳态测量(几ms)，研究不同深度的缺陷动力学和少子寿命特性。

自动的样品识别和参数设置允许在从原始生长晶片到高达95%金属化晶片的各种工艺阶段之后，容易地应用于包括外延层的各种不同样品。