主要特性：

l InGaAs，响应波长0.9~1.7um

l 深度制冷至-80℃，获得更低的暗流

l 水冷风冷一体

l 超高动态范围71dB

l 实时图像矫正：2 point NUC (Gain & Dark Current) + pixel correction

l 工作温度可以扩展

关键指标：

分辨率

640x512

暗电流

<100e/p/s @-80°C

满阱电荷

High Gain： 43Ke-

Low Gain：1.4Me-

读出噪声

High Gain: <30 e-

A/D深度

12bit-16bit

工作温度

-20℃~+55℃

典型应用：

l 远距离监视和跟踪

l 太阳能电池检测

l 激光探测、分析

l 半导体检测

l 质量控制

l 光谱/超光谱成像

l OCT成像

l 荧光成像

l 空间碎片跟踪

l 天文观测