2 最大额定值
贮存温度
| -55~+100℃ | APD 击穿电压
| 70V |
辐照光功率
| 10mW | 模块温度传感器偏置电压
| +30.0V |
功耗
| 250mW | 模块温度传感器测温范围
| -55~+125℃ |
模块电源电压
| +5.5V/-5.5V | 焊接温度(时间)
| 300℃(10s) |
2 光电性能 (@Tc=22±3℃)
特性参数
| 符号
| 测试条件
| 最小
| 典型
| 最大
| 单位
|
光谱响应范围
| λ | M=10 | 900~1700 | nm | ||
光敏面直径 | D | - | 200 | μm | ||
反向击穿电压
| VBR | ID=100μA | 30 | 70 | V | |
工作电压 | VR | M=10 | 0.90 | 0.95 | VR | |
模块响应率 | RV | M=10,λ=1.55μm,Pin=100nW | 300 | KV/W | ||
动态范围 | DY | M=10,RL=50Ω | 25 | dB | ||
-3dB 带宽 | BW | M=10,AC 耦合,RL=50? | 40 | MHZ | ||
上升/下降时间
| tr | λ=1.55μm,f=1MHz,M=10, RL=50? | 9 | ns | ||
噪声等效功率
| NEP | M=10,f-3Db=100kHz | - | 1 | pW/√Hz | |
输出阻抗 | RO | M=10, Pin=100nW | - | 50 | ? | |
最大输出摆幅 | VO | RL=50?, λ=1.55μm,M=10 ,RL=50? | 0.7 | V | ||
输出偏置电压
| Voffset | VCC=+5V,VEE=-5V,M=10,RL=50Ω | 0.4 | V | ||
正电源电流
| ICC | CC=+5.0V,VEE=-5.0V | - | 30 | mA | |
负电源电流
| IEE | - | 10 | mA | ||
温度传感器电流 | ITH | VTH=+10.0V | 298 | μA | ||
同心度 | △D | 30 | 50 | μm |
2 模块温度传感器电特参数 (TA= 25°C,VTH =+10.0 V )
参数名称 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
电源电压 | 4 | - | 30 | V |
输出电流 | - | 300 | - | μA |
温度系数 | - | 1 | - | μA/℃ |
温度非线性 | - | - | ±0.5 | ℃ |
温度重复性 | - | - | ±0.2 | ℃ |
长时间漂移系数 | - | - | ±0.2 | ℃ |
电流噪声 | - | 50 | - | pA/√Hz |
开启时间 | - | 20 | - | μs |
2 注意事项
— 严格按照引脚说明连接;输出 DC 耦合时,负载必须大于 。
— 应贮存在温度-55~+100℃和相对湿度不大于 80%的干燥、通风、无腐蚀性气体的环 境中;
— 贮运、使用过程中必须采取适当的静电防护措施。
— 器件属于高电压工作器件,使用或工作时应采取适当的设计和措施避免人体受到伤害 。