技术参数 :
二次电子分辨率 | 3.0nm(高真空,30kV) |
背散射电子分辨率 | 4.0nm(低真空:60Pa,30kV) |
倍率 | 5 ~ 300,000倍 |
加速电压 | 0.3~30 kV |
样品台 | X 0~80mm Y 0~40mm Z 5~50mm T -20~80mm R 360° |
样平台控制 | 手动(可选:2轴马达) |
zei大载入样品尺寸 | 直径:153mm |
zei大观察范围 | 直径:126mm(XYR并用) |
zei大样品高度 | 60mm (WD=15mm) |
低真空范围 | 6-270Pa(从菜单设定) |
灯丝 | 预对中钨灯丝 |
物镜光阑 | 4孔可变光阑 |
枪偏压 | 固定比例偏压、手动偏压、自动4偏压 |
检测器 | 二次电子检测器,高灵敏度半导体背散射电子检测器 |
EDX分析位置 | WD=15mm,TOA=35° |
真空系统 | 分子泵1台,机械泵1台 |
安全措施 | 停电,漏电,自动保护 |