PiLas皮秒半导体激光...

PiLas皮秒半导体激光器技术特点

参考成交价格: 1~3万元[人民币]
技术特点

【技术特点】-- PiLas皮秒半导体激光器

PiLas皮秒半导体激光器

Pilas系列皮秒半导体激光器脉宽可低至18ps(FWHM),波长范围覆盖375nm~1550nm,峰值功率范围从20mW至高于1000mW(具体参数取决于所用的LD)。电触发信号和光脉冲之前的抖动约3~4ps。特殊波长和参数可根据客户要求定制。

两种版本可选。

1MHz PiLas(重复频率从单脉冲到1MHz)

? PiLas数字控制系统(EIG1000D)

? 激光头PILxxxG(375nm~1550nm)


高速PiLas(通常固定100MHz,其他重复频率可定制)


? PiLas 100 MHz 控制系统 (EIG1000AF)

? 激光头(PILxxxF),波长400nm~1550nm(其他波长按要求)

选件


特点和应用范围


技术背景

下图描述了电脉冲泵浦下产生的光脉冲。


输出光装置


控制器


控制器尺寸:长×宽×高=326 mm x 235mm x 88mm

图示:


PIL063F光脉冲(使用UltraFast 35探测)



PIL082Q光脉冲(使用滨松条纹相机拍摄)


PIL078G光脉冲(使用UltraFast20探测)



【技术特点对用户带来的好处】-- PiLas皮秒半导体激光器


【典型应用举例】-- PiLas皮秒半导体激光器


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