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我要纠错Phenom ProX | Phenom Pharos G1 | Phenom Pharos G2 | |
| 光学放大 | 27 - 160 X | 20 - 135 X | 27 - 160 X |
| 电子光学放大 | 350,000 X | 1,000,000 X | 2,000,000 X |
| 分辨率 | 优于 6 nm | 优于 2.2 nm | 优于 1.8 nm |
| 电子枪 | CeB6 | 肖特基场发射电子枪 | 肖特基场发射电子枪 |
| 光学导航相机 | 彩色 | 彩色 | 彩色 |
| 加速电压 | 4.8 kV - 20.5 kV 连续可调 | 2 kV - 15 kV 连续可调 | 1 kV - 20 kV 连续可调 |
| 真空模式 | 高分辨率模式 降低荷电效应模式（可选） | 高分辨率模式 降低荷电效应模式 | 高分辨率模式 降低荷电效应模式 |
| 探测器 | 背散射电子探测器 二次电子探测器 (选配) 能谱探测器 | 背散射电子探测器 二次电子探测器 能谱探测器 (选配) | 背散射电子探测器 二次电子探测器 能谱探测器 (选配) |
| 成像规格参数 | ||||||||
| 扫描电镜放大倍数范围 | 2,000,000x | |||||||
| 光学显微镜放大 | 27 x - 160x | |||||||
| 加速电压 | 1 kV - 20 kV | |||||||
| 分辨率 | 优于1.8nm | |||||||
| 样品台 | 全自动马达样品台 | |||||||
| 定位 | 全自动样品定位与回溯 | |||||||
| 标配 | 背散射电子探测器 二次电子探测器 能谱探测器 | |||||||
| 电子源 | 肖特基场发射电子源（> 10,000h） | |||||||
| 真空模式 | 高真空 中真空 低真空 | |||||||
| 系统规格参数 | |
| 尺寸& 重量 | |
| 主机 | 360(w) x 580(d) x 590(h) mm, 75 kg |
| 真空泵 | 145(w) x 220(d) x 213(h) mm, 4.5 kg |
| 电源 | 230(w) x 255(d) x 75(h) mm, 4.3 kg |
| 显示器 | 531.5(w) x 250(d) x 515.4(h) mm, 6.7 kg |
| 环境条件 | |
| 温度 | 15°C ~ 25°C (59°F ~ 77°F) |
| 湿度 | < 60% RH |
| 电源 | 单相交流电 100 - 240 V；50/60 Hz, 400 W （最大功率） |
| 建议桌面尺寸 | 120 x 75 cm / 47 x 9.5 英寸， 载重 150 kg |
EDS 规格参数
| 探测器类型 | • 硅漂移探测器(SDD) |
| • 电制冷 (无液氮) | |
| •X 射线窗口 | 氮化硅 (Si3N4) 窗口 |
| •处理能力 | 2048 通道@ 10 eV/ch多通道分析 |
| •硬件集成 | 完全集成在扫描电镜中 电镜能谱同一界面 |
| •扫描方式 | 点 / 线 / 面扫 |
| 报告 | Docx格式 |
软件
| 在 Phenom ProSuite 内部集成 |
| 控制扫描电镜和样品台 |
| 自动识别谱峰 |
| 迭代反卷积算法 |
| 分析准确度显示 |
| 导出功能：CSV, JPG, TIFF, ELID, EMSA |
参考成交价格：