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我要纠错| 项目 | 内容 | |
| FIB | 二次电子像分辨率（C.P） | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
| 加速电压 | 0.5 kV – 30 kV | |
| 探针电流范围 | 0.05 pA – 100 nA | |
| 离子源 | GA液体金属离子源 | |
| SEM | 二次电子像分辨率（C.P） | 1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV |
| 加速电压 | 0.1 kV – 30 kV | |
| 探针电流范围 | 5 pA – 10 nA | |
| 电子枪 | 冷场场发射电子枪 | |
| 标准探测器 | In-Column二次电子探测器 SE（U） | |
| In-Column背散射电子探测器 BSE（U） | ||
| In-Column背散射电子探测器 BSE（L） | ||
| Chamber二次电子探测器 SE（L） | ||
| 驱动范围 | X | 155 mm |
| （5轴反馈控制） | Y | 155 mm |
| Z | 16.5 mm | |
| R | 0 - 360° 旋转 | |
| T | -10～59° | |
| 样品尺寸 | 最大直径 150 mm | |
| 选配 | Ar/Xe离子束系统 | |
| Micro Sampling System | ||
| 气体注入系统（双室或三室贮气筒） | ||
| 碳 | ||
| 铂 | ||
| 钨 | ||
| 电动搬运式样品交换仓 | ||
| 连续自动加工软件 | ||
| 连续A-TEM2 | ||
| 各种样品杆 | ||
| EDS（能谱仪） | ||
| EBSD（电子背散射衍射） | ||